[공학,기술] 전자공학 – 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)

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[공학,기술] 전자~tor ; BJT) 자료설명

[공학,기술] 전자공학 – 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)

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본문내용 ([공학,기술] 전자~; BJT).hwp)

접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)

1. 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)란

– 바이폴라 트랜지스터(Bipolar transistor 또는 Bipolar junction transistor ; BJT)는 접합형 트랜지스터라고도 불리는 트랜지스터의 일종이다. n-형과 p-형 반도체, 그리고 이들의 접합(接合) 형성과 이용이 개발되었다. N형과 P형 반도체가 P-N-P 또는 N-P-N 의 접합구조를 가지고 있다. 이미터,베이스,켈렉타 :세개의 단자 발진,주파수변환,스위칭 접합형 트랜지스터(FET)집적도가 높다.

2. 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)역사

– 접합형 트랜지스터는 1947년 Bell 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었다. 진공관의 전자회로 구현에서 많은 문제가 있다. 크기와 소모전력 그리고 내구성에서 많


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